TRANSISTOR SMD IRF9Z34NSPBF

TRANSISTOR SMD IRF9Z34NSPBF

Categoria de produto:  MOSFET             

RoHS:    Detalhes           

Tecnologia:        Si           

Estilo de montagem:     SMD/SMT          

Caixa / Gabinete:            TO-252-3            

Polaridade do transistor:             P-Channel         

Número de canais:         1 Channel          

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:         55 V      

Id - Corrente de drenagem contínua:    19 A      

Rds On - Fonte de drenagem na resistência:      100 mOhms      

Vgs - Voltagem de porta e fonte:            - 20 V, + 20 V    

Qg - Carga na porta:       23.3 nC

Temperatura operacional mínima:          - 55 C    

Temperatura operacional máxima:         + 175 C

Pd - Dissipação de potência:      68 W     

Modo de canal:                Enhancement  

Embalagem:      Tube    

Configuração:   Single   

Altura:  2.3 mm

Comprimento:  6.5 mm

Tipo de transistor:          1 P-Channel      

Tipo:      HEXFET Power MOSFET              

Largura:               6.22 mm             

Marca:  Infineon Technologies 

Tempo de queda:           41 ns    

Tipo de Produto:             MOSFET             

Tempo de ascensão:     55 ns    

Quantidade do pacote de fábrica:           1000     

Subcategoria:    MOSFETs           

Tempo de retardo de desligamento típico:         30 ns    

Tempo típico de ativação/retardo :        13 ns    

Aliases de núm de peça:              SP001566500    

Peso unitário:   330 mg