Memória SRAM Samsung K6X8016T3B de alta confiabilidade, desenvolvida para aplicações que exigem acesso rápido aos dados e baixo consumo de energia. Possui organização de 512K x 16 bits, totalizando 8 Mbit, sendo ideal para sistemas embarcados, equipamentos industriais e projetos eletrônicos avançados. Opera com tensão entre 2,7 V e 3,6 V, garantindo estabilidade e eficiência energética. Conta com encapsulamento TSOP-44 para montagem SMD, permitindo integração compacta em placas eletrônicas. Suporta leitura e escrita por byte ou palavra, além de retenção de dados com baixo consumo em modo standby.
Ficha Técnica K6X8016T3B
- Fabricante: Samsung

- Modelo: K6X8016T3B

- Tipo: Memória SRAM (Static RAM)

- Organização: 512K x 16 bits

- Capacidade: 8 Mbit (1 MB)

- Tecnologia: CMOS de baixo consumo

- Tensão de Operação: 2,7 V a 3,6 V

- Velocidade: até 70 ns (dependendo da versão)

- Corrente em Standby: até 15 A (industrial)

- Interface: Paralela

- Encapsulamento: TSOP-44

- Faixa de Temperatura:

- Industrial: -40 C a +85 C

- Recursos: Saídas tri-state, suporte a backup por bateria, leitura e escrita por byte ou palavra